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供应40V 150A N沟道增强型MOS~AH150N04

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详细说明

    深圳市振邦供应40V 150A N沟道增强型MOS~AH150N04采用先进的沟槽技术和

设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。 它

可以在各种各样的应用中。

特征：

VDS =40V，ID =150A

RDS（ON）<3毫欧 VGS= 10V RDS（ON）<4.0m毫欧 VGS= 4.5V

高密度电池设计超低导通电阻低

充分界定雪崩电压和电流

良好的稳定性和均匀性高WAS

优秀的包装为良好的散热

特殊的工艺技术，高ESD能力

应用领域：

1*电源开关应用

2*硬开关和高频电路

3*不间断电源供应

*对*大额定值：

1.漏 - 源电压VDS40V

2.栅源电压±20V

3.漏级电流150A

4.漏电流连续（TC=100℃）105A

5.漏电流脉冲600A

6.*大功率130瓦特

7.工作结存储温度范围-55?175℃

现以开始大批量供货，长期有现货，可提供型号样品，样板，技术等，

欢迎来咨询WV980

 
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